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首页>产品中心>管式炉>单温区管式炉>VHS1700℃真空管式气氛炉
1700℃真空管式气氛炉

简要描述:

这款CVD系统集真空管式炉,多通道气路系统和真空系统组成,可根据用户需要设计生产(有双温区、三温区、多温区),可预抽真空(有高真空、低真空),通多种气氛(供气系统有质子流量器和浮子流量控制器)。性能可靠。控制电路选用模糊PID程控技术,具有控温精度高,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作等特点。CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容等。

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这款CVD系统集真空管式炉,多通道气路系统和真空系统组成,可根据用户需要设计生产(有双温区、三温区、多温区),可预抽真空(有高真空、低真空),通多种气氛(供气系统有质子流量器和浮子流量控制器)。性能可靠。控制电路选用模糊PID程控技术,具有控温精度高,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作等特点。CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

高真空管式炉

 炉管尺寸

外径Φ60×1000mm,Φ80×1000mm,Φ100×1000mm

 极限温度

1700 ℃

工作温度

800 -1600 ℃

温度控制器

PID自动控制 晶闸管(可控硅)输出功率, 50段可编程控制器

zui快升降温速率

1400℃以下≤10℃/min,1400℃到1600℃≤5℃/min

加热区

360mm

恒温区

150mm

温度精度

±1 ℃

电源

单相220V,交流50Hz

 

多通道流量计控制系统

标准量程

100,200 ,500,1000SCCM; (以氮气标定,除以上标准外量程可选)

准确度

±1.5%

工作压差范围

0.01~0.05 MPa

zui大压力

0.02MPa

接头类型

Φ6双卡套不锈钢接头

高真空系统

泵体积流量N2

33 L/S

压缩比

10:11    

实验真空值

6.7*10-3Pa

功率消耗

140W

启动时间

2min

电源要求:

185-265VAC

本公司可定制各种CVD系统。
139 1789 8272 138 1685 2761,欢迎客户。

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