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  • 可旋转真空管式炉以硅碳棒为发热元件,额定温度1300℃,采用S型单铂铑热电偶测温和日本岛电温控仪自动控温,具有较高的控温精度(±1℃)。此外该炉具有真空装置,可在多种气氛下工作,大大提高了其使用范围。

  • 这款CVD系统集真空管式炉,多通道气路系统和真空系统组成,可根据用户需要设计生产(有双温区、三温区、多温区),可预抽真空(有高真空、低真空),通多种气氛(供气系统有质子流量器和浮子流量控制器)。性能可靠。控制电路选用模糊PID程控技术,具有控温精度高,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作等特点。CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容等。

  • 这款管式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和50段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用1800型氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,采用99刚玉管、两端用不锈钢法兰密封,用浮子流量计控制进气流量、该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点,是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、真空退火用的理想产品。

  • 本款管式炉以1700型硅钼为加热元件,采用双层壳体结构和50段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,管式炉炉膛采用1700型氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,采用99刚玉管、两端用不锈钢法兰密封,用浮子流量计控制进气流量、该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点,是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、真空退火用的理想产品。

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